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HSMS-286B-TR1G

HSMS-286B-TR1G

참조 용

부품 번호 HSMS-286B-TR1G
PNEDA 부품 번호 HSMS-286B-TR1G
설명 RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT323
제조업체 Broadcom
단가 견적 요청
재고 있음 8,190
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HSMS-286B-TR1G 리소스

브랜드 Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HSMS-286B-TR1G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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HSMS-286B-TR1G 사양

제조업체Broadcom Limited
시리즈-
다이오드 유형Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대)4V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F0.25pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)-
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323

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-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

2V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

75mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.25pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

700mOhm @ 3mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

HSMS-2823-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

1Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

HSMP-389L-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 3 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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SOT-363

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