HSMS-286L-TR2G
참조 용
| 부품 번호 | HSMS-286L-TR2G |
| PNEDA 부품 번호 | HSMS-286L-TR2G |
| 설명 | RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT363 |
| 제조업체 | Broadcom |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,158 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 22 - 2월 27 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HSMS-286L-TR2G 리소스
| 브랜드 | Broadcom |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HSMS-286L-TR2G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 다이오드-RF |
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HSMS-286L-TR2G 사양
| 제조업체 | Broadcom Limited |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Schottky - 3 Independent |
| 전압-피크 역방향 (최대) | 4V |
| 현재-최대 | - |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 0.25pF @ 0V, 1MHz |
| 저항 @ If, F | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-363 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Broadcom Limited 시리즈 * 다이오드 유형 - 전압-피크 역방향 (최대) - 현재-최대 - 커패시턴스 @ Vr, F - 저항 @ If, F - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - 1 Bridge 전압-피크 역방향 (최대) 4V 현재-최대 110mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.5pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F - 전력 손실 (최대) 100mW 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지 PG-SOT143-4 |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - 2 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대) 15V 현재-최대 1A 커패시턴스 @ Vr, F 1pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F 12Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대) - 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대) 180V 현재-최대 1A 커패시턴스 @ Vr, F 1.3pF @ 40V, 1MHz 저항 @ If, F 700mOhm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대) - 작동 온도 175°C (TJ) 패키지 / 케이스 SOD-123F 공급자 장치 패키지 S-FLAT (1.6x3.5) |
제조업체 Skyworks Solutions Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - 2 Pair CA + CC 전압-피크 역방향 (최대) 200V 현재-최대 - 커패시턴스 @ Vr, F 0.3pF @ 30V, 1MHz 저항 @ If, F 2Ohm @ 100mA, 100MHz 전력 손실 (최대) 250mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TA) 패키지 / 케이스 SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지 SOT-5 |
