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HT12G A0G

HT12G A0G

참조 용

부품 번호 HT12G A0G
PNEDA 부품 번호 HT12G-A0G
설명 DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 6,516
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HT12G A0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HT12G A0G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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HT12G A0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지TS-1
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

45ns

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

ITO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SB560-A-01

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

670mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

1N4001-N-2-4-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-

GB02SLT12-252

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

5A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 2A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

131pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

NRVBM120LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

POWERMITE®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

Powermite

작동 온도-접합

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