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HTZ110A19K

HTZ110A19K

참조 용

부품 번호 HTZ110A19K
PNEDA 부품 번호 HTZ110A19K
설명 DIODE MODULE 19KV 3.5A
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,330
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HTZ110A19K 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HTZ110A19K
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
HTZ110A19K, HTZ110A19K 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 185.11 KB)
PDFHTZ110A25K 데이터 시트 표지
HTZ110A25K 데이터 시트 페이지 2

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HTZ110A19K 사양

제조업체IXYS
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Series Connection
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)19000V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)3.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If18.3V @ 12A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 19000V
작동 온도-접합-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

470mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 30V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

720mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

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시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 200V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F-3

VS-20CTQ150STRL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 150V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

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TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

165A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 300A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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전류-역방향 누설 @ Vr

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