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HTZ260G19K

HTZ260G19K

참조 용

부품 번호 HTZ260G19K
PNEDA 부품 번호 HTZ260G19K
설명 DIODE MODULE 19.6KV 4.7A
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 7,614
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HTZ260G19K 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HTZ260G19K
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
HTZ260G19K, HTZ260G19K 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 129.98 KB)
PDFHTZ260G22K 데이터 시트 표지
HTZ260G22K 데이터 시트 페이지 2

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HTZ260G19K 사양

제조업체IXYS
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Series Connection
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)19600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)4.7A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If16V @ 12A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 19600V
작동 온도-접합-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Diodes Incorporated

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다이오드 구성

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

ITO-220AB

CDBV6-54CD-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 구성

2 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 25V

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

12A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 12A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

190µA @ 650V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

SS10P3CLHM3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

530mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

550µA @ 30V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

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제조업체

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-

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2 Independent

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 600V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

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