HUM2015B
참조 용
| 부품 번호 | HUM2015B |
| PNEDA 부품 번호 | HUM2015B |
| 설명 | AXIAL DIODE 1500V 13W |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,118 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 10 - 4월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HUM2015B 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HUM2015B |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 다이오드-RF |
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HUM2015B 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | * |
| 다이오드 유형 | - |
| 전압-피크 역방향 (최대) | - |
| 현재-최대 | - |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 저항 @ If, F | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Skyworks Solutions Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - 1 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대) 50V 현재-최대 - 커패시턴스 @ Vr, F 1pF @ 30V, 1MHz 저항 @ If, F 500mOhm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대) 250mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TA) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - 1 Pair Common Anode 전압-피크 역방향 (최대) 150V 현재-최대 100mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.35pF @ 20V, 1MHz 저항 @ If, F 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz 전력 손실 (최대) 250mW 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 PG-SOT323-3 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - 1 Pair Common Cathode 전압-피크 역방향 (최대) 30V 현재-최대 100mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.425pF @ 20V, 1MHz 저항 @ If, F 350mOhm @ 100mA, 100MHz 전력 손실 (최대) 240mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 SOT-323-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - 1 Pair Common Cathode 전압-피크 역방향 (최대) 4V 현재-최대 130mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.75pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F 15Ohm @ 5mA, 10kHz 전력 손실 (최대) 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 PG-SOT323-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - Single 전압-피크 역방향 (최대) 7V 현재-최대 - 커패시턴스 @ Vr, F 1pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F - 전력 손실 (최대) 200mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 SC-76, SOD-323 공급자 장치 패키지 SOD-323 |
