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HYB25D512800CE-6

HYB25D512800CE-6

참조 용

부품 번호 HYB25D512800CE-6
PNEDA 부품 번호 HYB25D512800CE-6
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
제조업체 Qimonda
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HYB25D512800CE-6 리소스

브랜드 Qimonda
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HYB25D512800CE-6
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
HYB25D512800CE-6, HYB25D512800CE-6 데이터 시트 (총 페이지: 42, 크기: 2,502.39 KB)
PDFHYB25D512800CE-6 데이터 시트 표지
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HYB25D512800CE-6 사양

제조업체Qimonda
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.3V ~ 2.7V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지66-TSOP II

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Quad Port, Asynchronous

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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메모리 유형

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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메모리 유형

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메모리 포맷

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메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFBGA, WLCSP

공급자 장치 패키지

8-WLCSP

M24C08-DRMF3TG/K

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

450ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.5V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

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