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ICL7667CBA

ICL7667CBA

참조 용

부품 번호 ICL7667CBA
PNEDA 부품 번호 ICL7667CBA_1E7
설명 IC MOSFET DRIVER DUAL PWR 8-SOIC
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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재고 있음 5,202
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ICL7667CBA 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ICL7667CBA
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
ICL7667CBA, ICL7667CBA 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 608.86 KB)
PDFICL7667CBA-T 데이터 시트 표지
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ICL7667CBA 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 15V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)20ns, 20ns
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

108V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

EL7154CSZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.6V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4ns, 4ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6700IR

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.4A, 1.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

80V

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 5ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-VQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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IXDI630CI

IXYS Integrated Circuits Division

제조업체

IXYS Integrated Circuits Division

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

12.5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

30A, 30A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

11ns, 11ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-5

공급자 장치 패키지

TO-220-5

2SD315AI UL

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-1

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

-

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

15V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

18A, 18A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

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작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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