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IDD08SG60CXTMA1

IDD08SG60CXTMA1

참조 용

부품 번호 IDD08SG60CXTMA1
PNEDA 부품 번호 IDD08SG60CXTMA1
설명 DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,354
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 27 - 5월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IDD08SG60CXTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDD08SG60CXTMA1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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IDD08SG60CXTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolSiC™+
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)8A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.1V @ 8A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr70µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F240pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지PG-TO252-3
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

525mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1.7A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

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-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.1V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

37ns

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.75V @ 6A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

270pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

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