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IDD09E60BUMA1

IDD09E60BUMA1

참조 용

부품 번호 IDD09E60BUMA1
PNEDA 부품 번호 IDD09E60BUMA1
설명 DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO252
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,606
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IDD09E60BUMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDD09E60BUMA1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
IDD09E60BUMA1, IDD09E60BUMA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 648.43 KB)
PDFIDD09E60BUMA1 데이터 시트 표지
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IDD09E60BUMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)19.3A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2V @ 9A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)75ns
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지PG-TO252-3
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-평균 정류 (Io)

300mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 75V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

D, Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

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Micro Commercial Co

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

250mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

1.5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-323

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제조업체

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

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속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

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