IDH03G65C5XKSA2
참조 용
| 부품 번호 | IDH03G65C5XKSA2 |
| PNEDA 부품 번호 | IDH03G65C5XKSA2 |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2-1 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 11,388 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 8 - 3월 13 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IDH03G65C5XKSA2 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IDH03G65C5XKSA2 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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IDH03G65C5XKSA2 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolSiC™+ |
| 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 650V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A (DC) |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.7V @ 3A |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 0ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 50µA @ 650V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 100pF @ 1V, 1MHz |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-2 |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO220-2-1 |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 16A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 16A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 500ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 HEXFRED® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 3.3V @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 95ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-2 공급자 장치 패키지 TO-247AC Modified 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
