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IDH09SG60CXKSA2

IDH09SG60CXKSA2

참조 용

부품 번호 IDH09SG60CXKSA2
PNEDA 부품 번호 IDH09SG60CXKSA2
설명 DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO220-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,518
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IDH09SG60CXKSA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDH09SG60CXKSA2
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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  • IDH09SG60CXKSA2 Distributor

IDH09SG60CXKSA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolSiC™+
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)9A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.1V @ 9A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr80µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F280pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지PG-TO220-2-1
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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1V @ 40V

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

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속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

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100µA @ 1600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

75pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

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DO-41

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

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