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IDH16G65C5XKSA2

IDH16G65C5XKSA2

참조 용

부품 번호 IDH16G65C5XKSA2
PNEDA 부품 번호 IDH16G65C5XKSA2
설명 DIODE SCHOTKY 650V 16A TO220-2-1
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 23,940
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 2 - 5월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IDH16G65C5XKSA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDH16G65C5XKSA2
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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IDH16G65C5XKSA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolSiC™+
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)650V
전류-평균 정류 (Io)16A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 16A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr200µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F470pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지PG-TO220-2-1
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

20ns

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

15mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 15mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

1ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

2.2pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

110ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

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Micro Commercial Co

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

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커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

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