IDH20G65C5XKSA2
참조 용
| 부품 번호 | IDH20G65C5XKSA2 |
| PNEDA 부품 번호 | IDH20G65C5XKSA2 |
| 설명 | DIODE SCHOTKY 650V 20A TO220-2-1 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 10,176 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 17 - 4월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IDH20G65C5XKSA2 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IDH20G65C5XKSA2 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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IDH20G65C5XKSA2 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolSiC™+ |
| 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 650V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 20A (DC) |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.7V @ 20A |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 0ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 210µA @ 650V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 590pF @ 1V, 1MHz |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-2 |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO220-2-1 |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 85A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.4V @ 85A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 200ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-5 작동 온도-접합 -40°C ~ 125°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 56A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 20A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 123µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F 1050pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 PG-TO220-2-1 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1400V 전류-평균 정류 (Io) 165A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 20mA @ 1400V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 INT-A-PAK (2) 공급자 장치 패키지 Module 작동 온도-접합 - |
제조업체 Sanken 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 600mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 600mA 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 4µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 620mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-128 공급자 장치 패키지 PMDT 작동 온도-접합 150°C (Max) |
