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IDK02G65C5XTMA2

IDK02G65C5XTMA2

참조 용

부품 번호 IDK02G65C5XTMA2
PNEDA 부품 번호 IDK02G65C5XTMA2
설명 DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO263-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,434
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IDK02G65C5XTMA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDK02G65C5XTMA2
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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IDK02G65C5XTMA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolSiC™+
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)650V
전류-평균 정류 (Io)2A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.8V @ 2A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr330µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F70pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지PG-TO263-2
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

660mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.2mA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 10A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.45V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25µs

전류-역방향 누설 @ Vr

150mA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-200AB, B-PUK

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GeneSiC Semiconductor

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

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