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IDK08G65C5XTMA2

IDK08G65C5XTMA2

참조 용

부품 번호 IDK08G65C5XTMA2
PNEDA 부품 번호 IDK08G65C5XTMA2
설명 DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO263-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,856
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IDK08G65C5XTMA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDK08G65C5XTMA2
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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  • IDK08G65C5XTMA2 Distributor

IDK08G65C5XTMA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolSiC™+
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)650V
전류-평균 정류 (Io)8A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.8V @ 8A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr-
커패시턴스 @ Vr, F250pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지PG-TO263-2
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

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전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

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장착 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.26V @ 30A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

40µA @ 2200V

커패시턴스 @ Vr, F

7pF @ 700V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

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TO-220AB

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시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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전류-역방향 누설 @ Vr

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커패시턴스 @ Vr, F

17pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

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