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IGP10N60TXKSA1

IGP10N60TXKSA1

참조 용

부품 번호 IGP10N60TXKSA1
PNEDA 부품 번호 IGP10N60TXKSA1
설명 IGBT 600V 20A 110W TO220-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,914
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 23 - 1월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IGP10N60TXKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IGP10N60TXKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • IGP10N60TXKSA1 Distributor

IGP10N60TXKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop®
IGBT 유형NPT, Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 10A
전력-최대110W
에너지 전환430µJ
입력 유형Standard
게이트 차지62nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C12ns/215ns
테스트 조건400V, 10A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지PG-TO220-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

전력-최대

220W

에너지 전환

95µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

68nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/115ns

테스트 조건

390V, 13A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

APT15GP60BDQ1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

56A

전류-수집기 펄스 (Icm)

65A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

전력-최대

250W

에너지 전환

130µJ (on), 120µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/29ns

테스트 조건

400V, 15A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IRG7PH44K10DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

전력-최대

320W

에너지 전환

2.1mJ (on), 1.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

75ns/315ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

130ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

STGP100N30

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

전력-최대

250W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/134ns

테스트 조건

180V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

FGH20N60SFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

전력-최대

165W

에너지 전환

370µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/90ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

34ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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