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IGP30N65F5XKSA1

IGP30N65F5XKSA1

참조 용

부품 번호 IGP30N65F5XKSA1
PNEDA 부품 번호 IGP30N65F5XKSA1
설명 IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,254
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IGP30N65F5XKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IGP30N65F5XKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • IGP30N65F5XKSA1 Distributor

IGP30N65F5XKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop™
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)55A
전류-수집기 펄스 (Icm)90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A
전력-최대188W
에너지 전환280µJ (on), 70µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지65nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C19ns/170ns
테스트 조건400V, 15A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지PG-TO220-3

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제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

전력-최대

480W

에너지 전환

5.3mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

480nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

55ns/200ns

테스트 조건

600V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264

STGB7NC60HDT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

전력-최대

80W

에너지 전환

95µJ (on), 115µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18.5ns/72ns

테스트 조건

390V, 7A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

FGH40N60SFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

전력-최대

290W

에너지 전환

1.13mJ (on), 310µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/115ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

45ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IGP06N60TXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 6A

전력-최대

88W

에너지 전환

200µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

42nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9ns/130ns

테스트 조건

400V, 6A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

IXBX25N250

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 25A

전력-최대

300W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

103nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.6µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

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