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IHB4BV821K

IHB4BV821K

참조 용

부품 번호 IHB4BV821K
PNEDA 부품 번호 IHB4BV821K
설명 IHB-4 820 10% B40
제조업체 Vishay Dale
단가 견적 요청
재고 있음 2,160
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 17 - 11월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IHB4BV821K 리소스

브랜드 Vishay Dale
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IHB4BV821K
분류수동 구성 요소인덕터, 코일, 초크고정 인덕터
데이터 시트
IHB4BV821K, IHB4BV821K 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 88.85 KB)
PDFIHB6BV822K 데이터 시트 표지
IHB6BV822K 데이터 시트 페이지 2 IHB6BV822K 데이터 시트 페이지 3 IHB6BV822K 데이터 시트 페이지 4 IHB6BV822K 데이터 시트 페이지 5 IHB6BV822K 데이터 시트 페이지 6

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IHB4BV821K 사양

제조업체Vishay Dale
시리즈IHB
유형Wirewound
재료-코어-
인덕턴스820µH
공차±10%
현재 등급3.9A
전류-포화-
방패Unshielded
DC 저항 (DCR)154 mOhm Max
Q @ Freq-
주파수-자기 공명-
평점-
작동 온도-55°C ~ 130°C
인덕턴스 주파수-테스트1kHz
특징-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스Radial
공급자 장치 패키지-
크기 / 치수1.600" Dia (40.64mm)
높이-착석 (최대)1.030" (26.16mm)

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공차

±0.2nH

현재 등급

200mA

전류-포화

-

방패

Unshielded

DC 저항 (DCR)

400 mOhm Max

Q @ Freq

10 @ 500MHz

주파수-자기 공명

6GHz

평점

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C

인덕턴스 주파수-테스트

500MHz

특징

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

01005 (0402 Metric)

공급자 장치 패키지

01005 (0402 Metric)

크기 / 치수

0.017" L x 0.009" W (0.44mm x 0.24mm)

높이-착석 (최대)

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SDR2207-820KL

Bourns

제조업체

Bourns

시리즈

SDR2207

유형

Wirewound

재료-코어

Ferrite

인덕턴스

82µH

공차

±10%

현재 등급

2.3A

전류-포화

3.5A

방패

Unshielded

DC 저항 (DCR)

144 mOhm Max

Q @ Freq

28 @ 2MHz

주파수-자기 공명

6.5MHz

평점

-

작동 온도

-40°C ~ 125°C

인덕턴스 주파수-테스트

100kHz

특징

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Nonstandard

공급자 장치 패키지

-

크기 / 치수

0.866" L x 0.591" W (22.00mm x 15.00mm)

높이-착석 (최대)

0.307" (7.80mm)

HM76-10100JLFTR7

TT Electronics/BI Magnetics

제조업체

TT Electronics/BI Magnetics

시리즈

HM76

유형

Wirewound

재료-코어

-

인덕턴스

10µH

공차

±20%

현재 등급

1.1A

전류-포화

-

방패

Unshielded

DC 저항 (DCR)

160 mOhm Max

Q @ Freq

-

주파수-자기 공명

-

평점

-

작동 온도

-40°C ~ 125°C

인덕턴스 주파수-테스트

100kHz

특징

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Nonstandard

공급자 장치 패키지

-

크기 / 치수

0.287" L x 0.188" W (7.30mm x 4.78mm)

높이-착석 (최대)

0.127" (3.23mm)

1782R-49F

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제조업체

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시리즈

1782R

유형

Molded

재료-코어

Iron

인덕턴스

16µH

공차

±1%

현재 등급

145mA

전류-포화

-

방패

Unshielded

DC 저항 (DCR)

3.1 Ohm Max

Q @ Freq

40 @ 2.5MHz

주파수-자기 공명

30MHz

평점

-

작동 온도

-55°C ~ 105°C

인덕턴스 주파수-테스트

2.5MHz

특징

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

-

크기 / 치수

0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm)

높이-착석 (최대)

-

CIGT252008LM2R2SNE

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Samsung Electro-Mechanics

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유형

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재료-코어

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인덕턴스

2.2µH

공차

±0.3nH

현재 등급

-

전류-포화

-

방패

Shielded

DC 저항 (DCR)

-

Q @ Freq

-

주파수-자기 공명

-

평점

-

작동 온도

-40°C ~ 125°C

인덕턴스 주파수-테스트

1MHz

특징

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0806 (2016 Metric)

공급자 장치 패키지

0806 (2016 Metric)

크기 / 치수

0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

높이-착석 (최대)

-

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