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IHD260

IHD260

참조 용

부품 번호 IHD260
PNEDA 부품 번호 IHD260
설명 GATE DRIVER CORE SCALE-1 1700V
제조업체 Power Integrations
단가 견적 요청
재고 있음 6,966
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 17 - 6월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IHD260 리소스

브랜드 Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IHD260
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IHD260, IHD260 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 320.74 KB)
PDFIHD660 데이터 시트 표지
IHD660 데이터 시트 페이지 2 IHD660 데이터 시트 페이지 3 IHD660 데이터 시트 페이지 4 IHD660 데이터 시트 페이지 5 IHD660 데이터 시트 페이지 6 IHD660 데이터 시트 페이지 7 IHD660 데이터 시트 페이지 8 IHD660 데이터 시트 페이지 9 IHD660 데이터 시트 페이지 10 IHD660 데이터 시트 페이지 11

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  • IHD260 Distributor

IHD260 사양

제조업체Power Integrations
시리즈SCALE™-1
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급14V ~ 16V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형-
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)100ns, 80ns
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스36-DIP Module, 24 Leads
공급자 장치 패키지Module

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시리즈

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구동 구성

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

-

채널 유형

-

드라이버 수

-

게이트 유형

-

전압-공급

-

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

LM5101BMAX

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

2.3V, -

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

570ns, 430ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRS2108STRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

HIP6601BECB-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

15V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

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