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IHW15N120R2

IHW15N120R2

참조 용

부품 번호 IHW15N120R2
PNEDA 부품 번호 IHW15N120R2
설명 IGBT 1200V 30A 357W TO247-3
제조업체 Infineon Technologies
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예상 배송 1월 22 - 1월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IHW15N120R2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IHW15N120R2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IHW15N120R2, IHW15N120R2 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 348.71 KB)
PDFIHW15N120R2 데이터 시트 표지
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IHW15N120R2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.75V @ 15V, 15A
전력-최대357W
에너지 전환900µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지133nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/282ns
테스트 조건600V, 15A, 14.8Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PG-TO247-3

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 15A

전력-최대

259W

에너지 전환

540µJ (on), 1.38mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

53nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/140ns

테스트 조건

600V, 15A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

270ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

SGB07N120ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16.5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

27A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 8A

전력-최대

125W

에너지 전환

1mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

70nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/440ns

테스트 조건

800V, 8A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3-2

BUP213

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

32A

전류-수집기 펄스 (Icm)

64A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

전력-최대

200W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

70ns/400ns

테스트 조건

600V, 15A, 82Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

APT50GT120B2RDQ2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Thunderbolt IGBT®

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

94A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전력-최대

625W

에너지 전환

2330µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

340nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/230ns

테스트 조건

800V, 50A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

-

RGCL80TS60GC11

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

전력-최대

148W

에너지 전환

1.11mJ (on), 1.68mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

98nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

53ns/227ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

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