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IKB20N65EH5ATMA1

IKB20N65EH5ATMA1

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부품 번호 IKB20N65EH5ATMA1
PNEDA 부품 번호 IKB20N65EH5ATMA1
설명 INDUSTRY 14
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKB20N65EH5ATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKB20N65EH5ATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • IKB20N65EH5ATMA1 Distributor

IKB20N65EH5ATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop™ 5
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)38A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 20A
전력-최대125W
에너지 전환560µJ (on), 130µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지48nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C19ns/160ns
테스트 조건400V, 20A, 32Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)80ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D²PAK (TO-263AB)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

42.5A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 8.5A

전력-최대

40W

에너지 전환

200µJ (on), 70µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/106ns

테스트 조건

400V, 8.5A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

51ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3 Full Pack

IRG4BC30K-SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

전력-최대

100W

에너지 전환

360µJ (on), 510µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

67nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/130ns

테스트 조건

480V, 16A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRG4RC10STR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

전력-최대

38W

에너지 전환

140µJ (on), 2.58mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/630ns

테스트 조건

480V, 8A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

APT15GP60BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

56A

전류-수집기 펄스 (Icm)

65A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

전력-최대

250W

에너지 전환

130µJ (on), 121µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/29ns

테스트 조건

400V, 15A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

STGB5H60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 5A

전력-최대

88W

에너지 전환

56µJ (on), 78.5µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

43nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/140ns

테스트 조건

400V, 5A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

134.5ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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