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IKD06N60RAATMA2

IKD06N60RAATMA2

참조 용

부품 번호 IKD06N60RAATMA2
PNEDA 부품 번호 IKD06N60RAATMA2
설명 IGBT 600V 12A 100W TO252-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,322
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKD06N60RAATMA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKD06N60RAATMA2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IKD06N60RAATMA2, IKD06N60RAATMA2 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 2,388.89 KB)
PDFIKD06N60RAATMA1 데이터 시트 표지
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IKD06N60RAATMA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop®
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)12A
전류-수집기 펄스 (Icm)18A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 6A
전력-최대100W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지48nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C12ns/127ns
테스트 조건400V, 6A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)68ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지PG-TO252-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

144A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 48A

전력-최대

330W

에너지 전환

625µJ (on), 1.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/145ns

테스트 조건

400V, 48A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

115ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

STGWT40V60DLF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

전력-최대

283W

에너지 전환

411µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

226nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/208ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

APT50GT60BRG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Thunderbolt IGBT®

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

전력-최대

446W

에너지 전환

995µJ (on), 1070µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

240nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/240ns

테스트 조건

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

전력-최대

150W

에너지 전환

1.75mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

69nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/180ns

테스트 조건

960V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXGA)

FGA25N120FTD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 25A

전력-최대

313W

에너지 전환

340µJ (on), 900µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

160nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

48ns/210ns

테스트 조건

600V, 25A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

770ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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