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IKD15N60RFAATMA1

IKD15N60RFAATMA1

참조 용

부품 번호 IKD15N60RFAATMA1
PNEDA 부품 번호 IKD15N60RFAATMA1
설명 IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,492
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKD15N60RFAATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKD15N60RFAATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IKD15N60RFAATMA1, IKD15N60RFAATMA1 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 1,758.08 KB)
PDFIKD15N60RFAATMA1 데이터 시트 표지
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IKD15N60RFAATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 15A
전력-최대240W
에너지 전환270µJ (on), 250µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C13ns/160ns
테스트 조건400V, 15A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)74ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지PG-TO252-3

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

480W

에너지 전환

380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

138nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/115ns

테스트 조건

480V, 40A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

IRG4IBC30FDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20.3A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

전력-최대

45W

에너지 전환

630µJ (on), 1.39mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42ns/230ns

테스트 조건

480V, 17A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

RJP65T54DPM-E0#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.68V @ 15V, 30A

전력-최대

63.5W

에너지 전환

330µJ (on), 760µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

72nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/120ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PF

IRGP4750D-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

전력-최대

273W

에너지 전환

1.3mJ (on), 500µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

105nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/105ns

테스트 조건

400V, 35A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

150ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

188A

전류-수집기 펄스 (Icm)

490A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 100A

전력-최대

1150W

에너지 전환

6.5mJ (on), 2.9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

270nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/123ns

테스트 조건

600V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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