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IKP01N120H2XKSA1

IKP01N120H2XKSA1

참조 용

부품 번호 IKP01N120H2XKSA1
PNEDA 부품 번호 IKP01N120H2XKSA1
설명 IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,718
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKP01N120H2XKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKP01N120H2XKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IKP01N120H2XKSA1, IKP01N120H2XKSA1 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 824.99 KB)
PDFIKP01N120H2XKSA1 데이터 시트 표지
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  • IKP01N120H2XKSA1 Distributor

IKP01N120H2XKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)3.2A
전류-수집기 펄스 (Icm)3.5A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 1A
전력-최대28W
에너지 전환140µJ
입력 유형Standard
게이트 차지8.6nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C13ns/370ns
테스트 조건800V, 1A, 241Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)83ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지PG-TO220-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23.5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

68A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

전력-최대

45W

에너지 전환

260µJ (on), 3.45mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/540ns

테스트 조건

480V, 18A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

IRGP4263D1-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

192A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 48A

전력-최대

325W

에너지 전환

2.9mJ (on), 1.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

70ns/140ns

테스트 조건

400V, 48A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

170ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

STGW60V60F

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

전력-최대

375W

에너지 전환

750µJ (on), 550µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

334nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/208ns

테스트 조건

400V, 60A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

NGTB40N60FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

366W

에너지 전환

970µJ (on), 440µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

84ns/177ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

72ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

95nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/90ns

테스트 조건

400V, 30A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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