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IM02ST3R9F

IM02ST3R9F

참조 용

부품 번호 IM02ST3R9F
PNEDA 부품 번호 IM02ST3R9F
설명 IM-2 3.9 1% RJ4
제조업체 Vishay Dale
단가 견적 요청
재고 있음 6,984
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 3 - 3월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IM02ST3R9F 리소스

브랜드 Vishay Dale
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IM02ST3R9F
분류수동 구성 요소인덕터, 코일, 초크고정 인덕터
데이터 시트
IM02ST3R9F, IM02ST3R9F 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 74.35 KB)
PDFIM10SK472J 데이터 시트 표지
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IM02ST3R9F 사양

제조업체Vishay Dale
시리즈IM
유형Molded
재료-코어Iron
인덕턴스3.9µH
공차±1%
현재 등급250mA
전류-포화-
방패Unshielded
DC 저항 (DCR)1 Ohm Max
Q @ Freq45 @ 7.9MHz
주파수-자기 공명80MHz
평점-
작동 온도-55°C ~ 125°C
인덕턴스 주파수-테스트7.9MHz
특징-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스Axial
공급자 장치 패키지Axial
크기 / 치수0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm)
높이-착석 (최대)-

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제조업체

API Delevan

시리즈

S1210

유형

-

재료-코어

Ferrite

인덕턴스

2.7µH

공차

±5%

현재 등급

464mA

전류-포화

-

방패

Shielded

DC 저항 (DCR)

750 mOhm Max

Q @ Freq

40 @ 7.9MHz

주파수-자기 공명

70MHz

평점

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C

인덕턴스 주파수-테스트

7.9MHz

특징

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

1210 (3225 Metric)

공급자 장치 패키지

1210 (3225 Metric)

크기 / 치수

0.138" L x 0.105" W (3.51mm x 2.66mm)

높이-착석 (최대)

0.101" (2.57mm)

CIGW160808XMR47MLC

Samsung Electro-Mechanics

제조업체

Samsung Electro-Mechanics

시리즈

CIGW

유형

Wirewound

재료-코어

Metal Composite

인덕턴스

470nH

공차

±20%

현재 등급

3A

전류-포화

-

방패

Unshielded

DC 저항 (DCR)

43 mOhm Max

Q @ Freq

-

주파수-자기 공명

-

평점

-

작동 온도

-40°C ~ 125°C

인덕턴스 주파수-테스트

1MHz

특징

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0603 (1608 Metric)

공급자 장치 패키지

0603 (1608 Metric)

크기 / 치수

0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

높이-착석 (최대)

0.032" (0.80mm)

PG0087.474NLT

Pulse Electronics Power

제조업체

Pulse Electronics Power

시리즈

PG0087NL

유형

-

재료-코어

-

인덕턴스

470µH

공차

±20%

현재 등급

150mA

전류-포화

150mA

방패

Shielded

DC 저항 (DCR)

6.24 Ohm Max

Q @ Freq

-

주파수-자기 공명

4.3MHz

평점

-

작동 온도

-40°C ~ 130°C

인덕턴스 주파수-테스트

100kHz

특징

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Nonstandard

공급자 장치 패키지

-

크기 / 치수

0.244" L x 0.244" W (6.20mm x 6.20mm)

높이-착석 (최대)

0.079" (2.00mm)

제조업체

TDK

시리즈

MLK

유형

Multilayer

재료-코어

Non-Magnetic

인덕턴스

39nH

공차

±5%

현재 등급

200mA

전류-포화

-

방패

Unshielded

DC 저항 (DCR)

1 Ohm Max

Q @ Freq

6 @ 100MHz

주파수-자기 공명

2GHz

평점

AEC-Q200

작동 온도

-55°C ~ 125°C

인덕턴스 주파수-테스트

100MHz

특징

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0402 (1005 Metric)

공급자 장치 패키지

0402 (1005 Metric)

크기 / 치수

0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)

높이-착석 (최대)

0.024" (0.60mm)

CIG22BR33MNE

Samsung Electro-Mechanics

제조업체

Samsung Electro-Mechanics

시리즈

CIG22B

유형

Multilayer

재료-코어

-

인덕턴스

330nH

공차

±20%

현재 등급

1.7A

전류-포화

-

방패

Shielded

DC 저항 (DCR)

47 mOhm

Q @ Freq

-

주파수-자기 공명

-

평점

-

작동 온도

-40°C ~ 125°C

인덕턴스 주파수-테스트

1MHz

특징

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

1008 (2520 Metric)

공급자 장치 패키지

1008 (2520 Metric)

크기 / 치수

0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

높이-착석 (최대)

0.039" (1.00mm)

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