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IMH23T110

IMH23T110

참조 용

부품 번호 IMH23T110
PNEDA 부품 번호 IMH23T110
설명 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,894
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IMH23T110 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IMH23T110
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
IMH23T110, IMH23T110 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 611.46 KB)
PDFIMH23T110 데이터 시트 표지
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  • IMH23T110 Distributor

IMH23T110 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
저항-베이스 (R1)4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce820 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic150mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)-
주파수-전환150MHz
전력-최대300mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지SMT6

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2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

공급자 장치 패키지

SMini5-G1

RN1962TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

500mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

EMD9T2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

150mW

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패키지 / 케이스

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시리즈

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트랜지스터 유형

1 PNP Pre-Biased, 1 NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

-

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 10V / 150 @ 2mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA, 100µA

주파수-전환

100MHz, 80MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

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