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IMT3AT108

IMT3AT108

참조 용

부품 번호 IMT3AT108
PNEDA 부품 번호 IMT3AT108
설명 TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,120
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 19 - 4월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IMT3AT108 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IMT3AT108
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
IMT3AT108, IMT3AT108 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 68.64 KB)
PDFEMT3T2R 데이터 시트 표지
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  • IMT3AT108 Distributor

IMT3AT108 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
전력-최대300mW
주파수-전환140MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지SMT6

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Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

ZXTDCM832TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

320mV @ 200mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

25nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 2V

전력-최대

1.7W

주파수-전환

165MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MLP (3x2)

DSS5160FDB-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

550mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V

전력-최대

405mW

주파수-전환

65MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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JANTX2N6989

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/559

트랜지스터 유형

4 NPN (Quad)

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

TO-116

PUMZ2,125

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

300mW

주파수-전환

100MHz, 190MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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