IPA093N06N3GXKSA1
참조 용
| 부품 번호 | IPA093N06N3GXKSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPA093N06N3GXKSA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,724 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPA093N06N3GXKSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPA093N06N3GXKSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPA093N06N3GXKSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 43A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 34µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3900pF @ 30V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 33W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO220-3-31 Full Pack |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 250Ohm @ 100µA, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3.5pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 375mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-72 패키지 / 케이스 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
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