IPA60R160C6XKSA1
참조 용
| 부품 번호 | IPA60R160C6XKSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPA60R160C6XKSA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 15,780 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPA60R160C6XKSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPA60R160C6XKSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPA60R160C6XKSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23.8A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 11.3A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 750µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1660pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 34W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO220-FP |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 72mOhm @ 25.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 145nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3850pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 120W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 97A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 9mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 120nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4820pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 230W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 21mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2900pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOP 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 80µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7900pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 188W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스 8-PowerSFN |
