IPA60R280P7SE8228XKSA1
참조 용
| 부품 번호 | IPA60R280P7SE8228XKSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPA60R280P7SE8228XKSA1 |
| 설명 | CONSUMER |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,732 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPA60R280P7SE8228XKSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPA60R280P7SE8228XKSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPA60R280P7SE8228XKSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolMOS™ P7 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 12A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 3.8A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 190µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 761pF @ 400V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 24W (Tc) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO220 Full Pack |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 175mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs 12Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 300pF @ 25V FET 기능 Depletion Mode 전력 손실 (최대) 740mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-92 (TO-226) 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PLUS220 패키지 / 케이스 TO-220-3, Short Tab |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.4Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 350pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 123nC @ 10V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7600pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 204W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 150nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7200pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 290W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SOT-227 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC |
