IPB110N20N3LFATMA1
참조 용
| 부품 번호 | IPB110N20N3LFATMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPB110N20N3LFATMA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 200 D2PAK-3 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,232 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPB110N20N3LFATMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPB110N20N3LFATMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPB110N20N3LFATMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ 3 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 88A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 88A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.2V @ 260µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 76nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 650pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 250W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO263-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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제조업체 IXYS 시리즈 GigaMOS™ HiPerFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 360A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 525nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 33000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1250W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PLUS247™-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.9Ohm @ 700mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.04nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 167pF @ 120V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.3W (Ta), 15W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 Single 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6 |
