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IPB25N06S3L-22

IPB25N06S3L-22

참조 용

부품 번호 IPB25N06S3L-22
PNEDA 부품 번호 IPB25N06S3L-22
설명 MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPB25N06S3L-22 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPB25N06S3L-22
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IPB25N06S3L-22, IPB25N06S3L-22 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 186.25 KB)
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  • IPB25N06S3L-22 Price
  • IPB25N06S3L-22 Distributor

IPB25N06S3L-22 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs21.3mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs47nC @ 10V
Vgs (최대)±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2260pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)50W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24.5mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

740pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

48W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BSC050NE2LSATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

39A (Ta), 58A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 28W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-5

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

AOD4158P

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Ta), 46A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 32W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIA441DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

47mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

890pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

19W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Single

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PowerPAK® SC-70-6

IPD90N06S4L03ATMA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 90µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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