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IPB80N04S304ATMA1

IPB80N04S304ATMA1

참조 용

부품 번호 IPB80N04S304ATMA1
PNEDA 부품 번호 IPB80N04S304ATMA1
설명 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPB80N04S304ATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPB80N04S304ATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IPB80N04S304ATMA1, IPB80N04S304ATMA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 187.43 KB)
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  • IPB80N04S304ATMA1 Distributor

IPB80N04S304ATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs80nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5200pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)136W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

38mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta), 3.3W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-TSOP

패키지 / 케이스

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제조업체

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

620V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.95Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

70W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STB15NM65N

STMicroelectronics

제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 7.75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTT68P20T

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

68A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

380nC @ 10V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

33400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

568W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

40W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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