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IPBH6N03LA G

IPBH6N03LA G

참조 용

부품 번호 IPBH6N03LA G
PNEDA 부품 번호 IPBH6N03LA-G
설명 MOSFET N-CH 25V 50A TO-263
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPBH6N03LA G 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPBH6N03LA G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IPBH6N03LA G, IPBH6N03LA G 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 279.84 KB)
PDFIPBH6N03LA G 데이터 시트 표지
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IPBH6N03LA G 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs19nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2390pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)71W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

45V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

25pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

330mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

64mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

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TO-3P

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.2nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1240pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

510mW (Ta), 6.94W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-236AB

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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장착 유형

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 55W (Tc)

작동 온도

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