IPC60R099C6UNSAWNX6SA1
참조 용
| 부품 번호 | IPC60R099C6UNSAWNX6SA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPC60R099C6UNSAWNX6SA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH BARE DIE |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,394 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPC60R099C6UNSAWNX6SA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPC60R099C6UNSAWNX6SA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPC60R099C6UNSAWNX6SA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | - |
| 기술 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO251-3 패키지 / 케이스 TO-251-3 Stub Leads, IPak |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 72nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3620pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 136W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-263 (D2Pak) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 62mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.1nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 266pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 800mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 10V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 902.7pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 820mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-UDFN2020 (2x2) 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 460pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta), 3.3W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-TSOP 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
