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IPD50R800CEATMA1

IPD50R800CEATMA1

참조 용

부품 번호 IPD50R800CEATMA1
PNEDA 부품 번호 IPD50R800CEATMA1
설명 MOSFET N CH 500V 5A TO252
제조업체 Infineon Technologies
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재고 있음 2,790
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPD50R800CEATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPD50R800CEATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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IPD50R800CEATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolMOS™ CE
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12.4nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds280pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)60W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PG-TO252-3
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1020pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

15.6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

-

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

550mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.7V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

187.3pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

630mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type E)

패키지 / 케이스

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

450mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.88nC @ 4.5V

Vgs (최대)

8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

55pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100mW (Ta)

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-883VL

패키지 / 케이스

SC-101, SOT-883

SIB457EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

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Vgs (최대)

±8V

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-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

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