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IPF09N03LA

IPF09N03LA

참조 용

부품 번호 IPF09N03LA
PNEDA 부품 번호 IPF09N03LA
설명 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,590
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPF09N03LA 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPF09N03LA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IPF09N03LA, IPF09N03LA 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 531.57 KB)
PDFIPS09N03LA G 데이터 시트 표지
IPS09N03LA G 데이터 시트 페이지 2 IPS09N03LA G 데이터 시트 페이지 3 IPS09N03LA G 데이터 시트 페이지 4 IPS09N03LA G 데이터 시트 페이지 5 IPS09N03LA G 데이터 시트 페이지 6 IPS09N03LA G 데이터 시트 페이지 7 IPS09N03LA G 데이터 시트 페이지 8 IPS09N03LA G 데이터 시트 페이지 9 IPS09N03LA G 데이터 시트 페이지 10 IPS09N03LA G 데이터 시트 페이지 11

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  • IPF09N03LA Distributor

IPF09N03LA 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1642pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)63W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지P-TO252-3
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 8V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-75-6L Single

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-75-6L

STP200N4F3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

TN2124K1-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

240V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

134mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

3V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15Ohm @ 120mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360mW (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

제조업체

IXYS

시리즈

PolarHT™ HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

140A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V, 15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

830W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

66A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.1mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1136pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

44.6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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