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IPG20N04S4L07ATMA1

IPG20N04S4L07ATMA1

참조 용

부품 번호 IPG20N04S4L07ATMA1
PNEDA 부품 번호 IPG20N04S4L07ATMA1
설명 MOSFET 2N-CH 8TDSON
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,082
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPG20N04S4L07ATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPG20N04S4L07ATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • IPG20N04S4L07ATMA1 Distributor

IPG20N04S4L07ATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs50nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3980pF @ 25V
전력-최대65W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지PG-TDSON-8-4

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

47nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2367pF @ 15V

전력-최대

3.9W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta), 18A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

896pF @ 20V

전력-최대

48W, 43W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

690pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

278A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

700nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20000pF @ 25V

전력-최대

780W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SP4

ZXMN2AMCTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

299pF @ 15V

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