IPG20N06S2L65AATMA1
참조 용
부품 번호 | IPG20N06S2L65AATMA1 |
PNEDA 부품 번호 | IPG20N06S2L65AATMA1 |
설명 | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
제조업체 | Infineon Technologies |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 37,596 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPG20N06S2L65AATMA1 리소스
브랜드 | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | IPG20N06S2L65AATMA1 |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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IPG20N06S2L65AATMA1 사양
제조업체 | Infineon Technologies |
시리즈 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
FET 기능 | Logic Level Gate |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 55V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 14µA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 12nC @ 10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 410pF @ 25V |
전력-최대 | 43W |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount, Wettable Flank |
패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
공급자 장치 패키지 | PG-TDSON-8-10 |
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