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IPI60R280C6XKSA1

IPI60R280C6XKSA1

참조 용

부품 번호 IPI60R280C6XKSA1
PNEDA 부품 번호 IPI60R280C6XKSA1
설명 MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262
제조업체 Infineon Technologies
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재고 있음 2,304
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPI60R280C6XKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPI60R280C6XKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • IPI60R280C6XKSA1 Distributor

IPI60R280C6XKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 430µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs43nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds950pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)104W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지PG-TO262-3
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

74A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

66mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

425nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1170W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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SI1012X-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-89-3

패키지 / 케이스

SC-89, SOT-490

FDV304P-D87Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

460mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

-8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

63pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

350mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SIHB21N60EF-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

176mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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-

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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-

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