IPL65R190E6AUMA1
참조 용
| 부품 번호 | IPL65R190E6AUMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPL65R190E6AUMA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 4VSON |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,586 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPL65R190E6AUMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPL65R190E6AUMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPL65R190E6AUMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolMOS™ E6 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 650V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20.2A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 700µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1620pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 151W (Tc) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PG-VSON-4 |
| 패키지 / 케이스 | 4-PowerTSFN |
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 57mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 555pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.25W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 SDMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Ta), 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 42nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2440pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 62W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V Rds On (최대) @ Id, Vgs 143mOhm @ 15A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id 7V @ 5.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 74nC @ 15V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2500pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 93W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-3PF 패키지 / 케이스 TO-3P-3 Full Pack |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 6.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 103nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5400pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 543W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PLUS220 패키지 / 케이스 TO-220-3, Short Tab |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.9nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 604pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.14W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252-3 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
