IPL65R310E6AUMA1
참조 용
| 부품 번호 | IPL65R310E6AUMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPL65R310E6AUMA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 4VSON |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,820 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 21 - 3월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPL65R310E6AUMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPL65R310E6AUMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPL65R310E6AUMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolMOS™ E6 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 650V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13.1A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 310mOhm @ 4.4A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 400µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 950pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 104W (Tc) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | Thin-Pak (8x8) |
| 패키지 / 케이스 | 4-PowerTSFN |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 93A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs 28.6mOhm @ 36A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id 5.6V @ 18.2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 133nC @ 18V Vgs (최대) +22V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2208pF @ 500V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 339W 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247N 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 185mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.7nC @ 15V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 23pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 350mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V, 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 13.3mOhm @ 9.2A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1110pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 95mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.2nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 305pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DFN2020MD-6 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad |
