IPP120N04S302AKSA1
참조 용
| 부품 번호 | IPP120N04S302AKSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPP120N04S302AKSA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 11,244 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPP120N04S302AKSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPP120N04S302AKSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPP120N04S302AKSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 230µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 210nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 14300pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 300W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 35A (Ta), 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 109A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 194nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7471pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.3W (Ta), 94W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DIRECTFET L6 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric L6 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 594.3pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 800mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 44mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 71nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1960pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 130W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
