IPP120N06NGAKSA1
참조 용
| 부품 번호 | IPP120N06NGAKSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPP120N06NGAKSA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 60V 75A TO-220 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,784 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPP120N06NGAKSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPP120N06NGAKSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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IPP120N06NGAKSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 75A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 94µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2100pF @ 30V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 158W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.5nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 78pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 360mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 70mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 22Ohm @ 40mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.32nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6.2pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 3-MCP 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 |
