IPP50R500CEXKSA1
참조 용
| 부품 번호 | IPP50R500CEXKSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPP50R500CEXKSA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,650 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPP50R500CEXKSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPP50R500CEXKSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPP50R500CEXKSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 500V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7.6A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 13V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 2.3A, 13V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 200µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 18.7nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 433pF @ 100V |
| FET 기능 | Super Junction |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Ta), 39.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.1V @ 48µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2220pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.1W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
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