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IPS09N03LB G

IPS09N03LB G

참조 용

부품 번호 IPS09N03LB G
PNEDA 부품 번호 IPS09N03LB-G
설명 MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
제조업체 Infineon Technologies
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IPS09N03LB G 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPS09N03LB G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IPS09N03LB G, IPS09N03LB G 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 629.35 KB)
PDFIPU09N03LB G 데이터 시트 표지
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IPS09N03LB G 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs9.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1600pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)58W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지PG-TO251-3
패키지 / 케이스TO-251-3 Stub Leads, IPak

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시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Ta), 50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2940pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.25W (Ta), 83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

PSMN1R7-25YLDX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3415pF @ 12V

FET 기능

Schottky Diode (Body)

전력 손실 (최대)

135W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ CE

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

13V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 400mA, 13V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

84pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT223

패키지 / 케이스

SOT-223-3

IRFHM3911TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A (Ta), 20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

115mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 29W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-PQFN (3x3)

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Vishay Siliconix

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.53A (Ta), 6.04A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

47mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.05nC @ 5V

Vgs (최대)

±5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

535pF @ 4V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.56W (Ta), 2.78W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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