IPZ40N04S5L7R4ATMA1
참조 용
| 부품 번호 | IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 8TDSON |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 128,622 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 12 - 2월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 7.4mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 10µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±16V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 920pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 34W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TSDSON-8 |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1310pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 Micro6™(SOT23-6) 패키지 / 케이스 SOT-23-6 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 94µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.9nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 146pF @ 25V FET 기능 Depletion Mode 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-SOT223-4 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 75mOhm @ 8.75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 72nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3900pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 55W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220F 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
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