IR1167BSPBF
참조 용
| 부품 번호 | IR1167BSPBF |
| PNEDA 부품 번호 | IR1167BSPBF |
| 설명 | IC MOSFET DRIVER N-CHAN 8-SOIC |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,094 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IR1167BSPBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IR1167BSPBF |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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IR1167BSPBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | SmartRectifier™ |
| 구동 구성 | Low-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 드라이버 수 | 1 |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 12V ~ 18V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 2V, 2.15V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 2A, 7A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 18ns, 10ns |
| 작동 온도 | -25°C ~ 125°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
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제조업체 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 1V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 5A, 5A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 7ns, 6ns 작동 온도 -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-MSOP-PowerPad |
제조업체 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4V ~ 12.6V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 1.3A, 7.6A 입력 유형 Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 82ns, 12.5ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 공급자 장치 패키지 SOT-23-6 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 3-Phase 드라이버 수 6 게이트 유형 IGBT 전압-공급 12.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 350mA, 540mA 입력 유형 Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 1200V 상승 / 하강 시간 (일반) 80ns, 25ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 64-BQFP 공급자 장치 패키지 64-MQFP (20x14) |
제조업체 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH 2.3V, - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 3A, 3A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 118V 상승 / 하강 시간 (일반) 430ns, 260ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-WSON (4x4) |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 6A, 6A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 25ns, 25ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-DFN-S (6x5) |
