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IR2152STR

IR2152STR

참조 용

부품 번호 IR2152STR
PNEDA 부품 번호 IR2152STR
설명 IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,066
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IR2152STR 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IR2152STR
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IR2152STR, IR2152STR 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 94.52 KB)
PDFIR2152STR 데이터 시트 표지
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IR2152STR 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급10V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)125mA, 250mA
입력 유형RC Input Circuit
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)80ns, 40ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

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드라이버 수

3

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

95V

상승 / 하강 시간 (일반)

35ns, 30ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

LT1161CN#PBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 48V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

20-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

20-PDIP

IR2128

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

12V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

MIC4422AAM-TR

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 24ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR44273LTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

µHVIC™

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.6V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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